單晶硅壓力變送器采用xj****的單晶硅壓力傳感器技術與專業封裝工藝，單晶硅片為彈性元件，在單晶硅膜片上利用集成電路的工藝，在單晶硅的特定方向擴散一組等值電阻，并將電阻接成橋路，單晶硅片置于傳感器腔內，測量精度高達0.075級，特有的雙過載保護膜設計，單向過壓可達40MPa。單晶硅壓力傳感器金屬位于頂部，遠離介質接觸面，實現機械隔離和熱隔離；玻璃燒結一體的傳感器引線實現了與金屬基體的高強度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護的能力。這些技術確保了單晶硅壓力變送器可從容應對的化學場合和機械負荷，同時具備極強的抗電磁干擾能力，足以應對為復雜的工業環境應用。

電容式變送器被測介質的兩種壓力通入高、低兩個壓力室，作用在δ元件(即敏感元件)的兩側隔離膜片上，通過隔離片和元件內的填充液傳送到測量膜片兩側。電容式壓力變送器是由測量膜片與兩側絕緣片上的電極各組成一個電容器。 當兩側壓力不一致時，致使測量膜片產生位移，其位移量和壓力差成正比，故兩側電容量就不等，通過振蕩和解調環節，轉換成與壓力成正比的信號。